충북대학교 공업화학과

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조병진

Research Areas 전자재료 다기능나노전자소자연구실
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상세정보

약력

  • 부교수, 충북대학교 신소재공학과 (2021.03.~현재)

  • 방문교수, 노스이스턴 대학교, 미국 (2024.03.~2025.01.)

  • 조교수, 충북대학교 신소재공학과 (2017.03.~2021.02.)

  • 선임연구원, 한국기계연구원 부설 재료연구소 (2013.02.~2017.02.)

  • 박사 후 연구원, 캘리포니아 대학교 로스앤젤레스, 미국 (2012.03.~2012.12.)

  • 박사, 광주과학기술원 (2009.03.~2012.02.)

  • 석사, 광주과학기술원 (2007.03.~2009.02.)

  • 공정 엔지니어, SK 하이닉스 반도체 (2005.07.~2007.02.)

  • 학사, 충북대학교 (1998.03.~2005.02.)

담당과목

  • 학부 : 기초양자론, 반도체소자공정실험, 반도체 물성과 소자, 전자무기재료

  • 대학원 : 반도체공정특론, 스마트반도체소재

연구분야

  • 저차원 나노소재 증착 공정 기술 개발

  • 초경사 트랜지스터 스위칭 소자 개발

  • 뉴로모픽 시냅스 소자 개발

  • 고감도 광센서 소자 개발

저서

  • 조병진, 김태욱, 지용성, 송성훈, 이탁희, "비휘발성 메모리 응용을 위한 유기 저항 스위칭", 비휘발성 메모리: 재료, 소자 및 응용 (Tseung-Yuen Tseng 및 Simon M. Sze 편집), American Scientific Publishers, Stevenson Ranch, CA, USA (2012, ISBN: 1-58883-250-3). [2012.03.23]

논문

  • 1. Do Hyeong Kim, Seyoung Oh, Ojun Kwon, Soo-Hong Jeong, Hyun Young Seo, Eunjeong Cho, Min Jeong Kim, Wondeok Seo, Jung-Dae Kwon, Yonghun Kim, Woojin Park*, and Byungjin Cho*, "Designing Buried-Gate InGaZnO Transistors for High-Yield and Reliable Switching Characteristics" Journal of Materials Chemistry C 12, 5347 (2024) [2024.04.21] Front COVER picture article. Introduced in media.

  • 2. Minseok Kim, Seyoung Oh, Byungjin Cho*, Jong Hoon Joo*, "Conduction mechanism of acceptor or donor doped ZrO2 for advanced DRAM capacitors: bulk vs thin film" ACS Applied Materials & Interfaces 15, 31627 (2023) [2023.07.05.]

  • 3. Seyoung Oh, Ojun Kwon, Hyun Young Seo, Do Hyeong Kim, Soo-Hong Jeong, Hyeon Ki Park, Woojin Park, and Byungjin Cho*, "Light-stimulated long-term potentiation behavior enhanced in a HfO2/InGaZnO photonic synapse" Applied Materials Today 34, 101919 (2023) [2023.10.01.]

  • 4. Hye Yeon Jang, Ojun Kwon, Jae Hyeon Nam, , Jung-Dae Kwon, Yonghun Kim, Woojin Park, and Byungjin Cho*, "Highly reproducible heterosynaptic plasticity enabled by MoS2/ZrO2-x heterostructure memtransistor" ACS Applied Materials & Interfaces 14, 52173 (2022)

  • 5. Jae Hyeon Nam, Seyoung Oh, Hye Yeon Jang, Ojun Kwon, Heejeong Park, Woojin Park, Jung-Dae Kwon*, Yonghun Kim* and Byungjin Cho*, "Low Power MoS2/Nb2O5 Memtransistor Device with Highly Reliable Heterosynaptic Plasticity" Advanced Functional Materials 31, 2104174 (2021) [2021.10.01] Front COVER picture article

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